机译:基于InAIN / GaN-on-Si HEMT堆叠的紫外检测器,光暗电流比> 10〜7
机译:用于InAlN / GaN-on-Si HEMT的低热预算Hf / Al / Ta欧姆接触,具有更高的击穿电压
机译:Y_2O_3栅极电介质InAlN / Si-Si上的GaN(111)MOSHEMT的正阈值电压漂移相对于HEMT
机译:采用200mm CMOS兼容MMIC工艺的InAlN / GaN-on-Si HEMT以4.5W / mm的速度进行3D集成
机译:基于砷化铟镓/磷化铟和氮化铝镓/氮化镓HEMT中二维电子气中的等离激元激发的可调太赫兹探测器。
机译:MRI兼容检测器设计:基于数字SiPM的检测器堆栈开发的经验可同时进行PET / MRI
机译:在栅极应力下的W波段中的栅极电流降解/ ALN / GaN HEMT